Zeitabhängige Leerlaufspannung und Dotierdichte von CIGSe-Solarzellen

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Elektrische Solarzellen-Parameter wie die Leerlaufspannung ändern sich in Cu(In, Ga)Se2-Solarzellen unter Beleuchtung kontinuierlich. Mit Hilfe von kapazitiven Messmethoden wird dieses Phänomen auf Änderungen in der Dotierdichte der Cu(In, Ga)Se2-Schicht zurückgeführt. Diese Erkenntnisse ermöglichen es, den limitierenden Verlustmechanismus in der Solarzelle zu identifizieren, wobei im Wesentlichen zwischen Volumen- und Grenzflächenverlusten differenziert wird. Um den zugrundeliegenden mikroskopischen Mechanismus bei kontinuierlicher Beleuchtung zu verstehen, werden die experimentelle Befunde mit aus der Literatur bekannten theoretischen Ansätzen wie dem Lany-Zunger-Modell oder dem Kupfer-Migrationsmodell verglichen.