Plasmaunterstützte Abscheidung und Charakterisierung von Siliziumnitridfilmen

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Bachelorarbeit aus dem Jahr 2014 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1, 3, Ruhr-Universität Bochum, Sprache: Deutsch, Abstract: In dieser Arbeit werden mit Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (ICPECVD)-Verfahren abgeschiedene Siliziumnitridfilme untersucht. Zur Charakterisierung wurden mehrere Parameter wie Plasmaleistung, Substrattemperatur, Depositionszeit und Verhältnis der Prozessgase variiert und anschließend die Eigenschaften der Filme untersucht und verglichen.Die untersuchten Eigenschaften der abgeschiedenen Filme sind die deponierte Schichtdicke, die Brechzahl des Films, die Oberflächenbeschaffenheit sowie die Rauheit der Filmoberfläche. Die Brechzahl und die Schichtdicke der Filme sind mithilfe der Ellipsometrie ermittelt worden. Die Oberflächenbeschaffenheit und die Rauheit wurden mit dem Rasterkraftmikrosop untersucht.