Herstellung und Charakterisierung von auf GaSb basierten monomodigen Halbleiterlasern für die Gassensorik

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Aufgrund ihrer vielfältigen Anwendbarkeit z.B. im Explosionsschutz, zur Detektion von Gaslecks, zu Emissionsmessungen oder in der Prozessüberwachung wächst der globale Markt für Gassensor- und Gasanalysesysteme stetig. Als optischer Gassensor findet dabei gerade der Halbleiterlaser ein immer breiteres Anwendungsspektrum. Im Wellenlängenbereich von ca. 2, 8 µm bis ca. 4 µm standen bis vor kurzem jedoch keine Halbleiterdiodenlaser zur Verfügung, die bei Raumtemperatur im Dauerstrichbetrieb arbeiten und dabei die benötigte Leistung erbringen. Ziel der vorliegenden Arbeit war es daher, den Wellenlängenbereich GaSb-basierter Laser zu erweitern und so die fundamentalen Absorptionsmoden weiterer Gase für die Detektion zugänglich zu machen. Parallel wurde die Untersuchung und Verbesserung fundamentaler Wachstums- und Laserparameter angestrebt.